常温成膜装置OER-ALD装置（ハイバリア成膜）
基材に熱ダメージ・プラズマダメージを与えることなく、常温で原子レベルの緻密な成膜（ALD）をすることができる装置。
製品特長
常温OER-ALD装置は、ピュアオゾンとエチレンによる化学反応により発生させた高活性なOHラジカルを、効率的に使用した常温成膜装置です。成膜速度は目安として1nm/1分、膜種はAl2O3膜、SiO2膜、TiO2膜となります。
- ダメージレス：
常温化学プロセスの為、熱/物理ダメージは一切なし - ハイバリア：
単層膜でも緻密な膜でハイバリア性を発現 - 面内均一性：
シャワーヘッド構造でガスを基板に吹き付ける為、均一な処理が可能 - メンテナンスコスト低減：
成膜はシャワーヘッド直下の反応の為、チャンバ内汚れが低減 - ランニングコスト削減：
「常温による熱源の省力化」、「供給ガスの高効率化」により大幅なコスト削減が可能
用途・ソリューション
OER-ALD成膜は、主に半導体やフィルムに対してのアプリケーションがあります。平面上に均一な膜質の良い成膜が出来るのが特徴で、枚葉式の処理となります。半導体の3D メモリや5G用のGaNのHEMT、MEMSなどへの酸化膜の成膜にも応用が期待されます。
適用分野と用途例
仕様一覧
| 膜種 | Al2O3膜、SiO2膜、TiO2膜 |
|---|---|
| 処理圧力 | 10-100Pa |
| 成膜温度 | 20℃～150℃ |
| 成膜速度 | 最大１nm/min @30℃ |
| ガスバリア性 | 6.5×10-5g/m2/day （PEN＊1上膜厚40nm） |
| 面内膜厚分布 | 4％以内 |
| 電気絶縁性 | 10-7A/cm2 @4MV/cm（膜厚：60nm）＊2 |
| 処理能力 | ・ウエハー：8インチ（枚葉式） ・基板：φ200、t2mm |
| 上部シャワーヘッド | 3層式 下部ステージとの間隔：20mm～40mm |
| 下部ステージ | SUS製 φ220mm |
| 真空計 | ■ピラニゲージ：5×10-2～1×105Pa ■ダイヤフラムゲージ：2.66×10-2～2.66×102Pa |
| 排気系 | ■ドライポンプ（2000L/min） |
| オプション | ■ロードロック機能 ■SEMI通信機能 |
*1：フィルム膜種：PQDA5-125 東洋紡製
*2：基材：シリコンウエハー
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