ピュアオゾン技術について
ピュアオゾン技術について
ピュアオゾン発生技術は、オゾナイザーで発生させたオゾンガスを冷却・液化することで高純度・高濃度オゾンを生成する技術です。半導体分野で採用実績があり、安全性・信頼性を兼ね備えた高純度・高濃度オゾンガス発生技術です。
（Pure Ozone Generator）
国立研究開発法人
産業技術総合研究所 共同開発
ピュアオゾンの特徴
-
「高濃度」
オゾンガス濃度80％以上保証 -
「高純度」
重金属フリーのピュアオゾンガス -
「低温・真空プロセス」
常温～150℃での低温プロセスが可能
減圧化でオゾンを安全に使用 -
「OHラジカル生成」
真空プロセスの酸化源・OHラジカル発生源として活用
表面改質、接合前処理、アッシング、ALD成膜など
ピュアオゾン発生の仕組み
ピュアオゾン発生技術は、オゾナイザーで発生させたオゾンガスを冷却・液化することで高純度・高濃度オゾンを生成する技術です。
半導体分野で採用実績があり、安全性・信頼性を兼ね備えた高純度・高濃度オゾンガス発生技術です。
- オゾナイザーを通過した酸素含有オゾンガス（濃度10％程度）を融点（-183℃）まで冷却し、オゾンだけを液化します。
- 液化しなかったO2、NOxなどを真空排気することで、99％以上高純度の液体オゾンを蓄積します。
- オゾン供給時は、昇温により液化オゾンを気化する事で、濃度80％以上のピュアオゾンガスをお客様装置・システムへ供給します。
- この技術により生成されたピュアオゾンは、半導体用プロセスを中心に、酸化源として成膜・改質・洗浄等様々な応用にお使い頂いています。
ピュアオゾンは高純度
重金属や不純物を含まない、金属汚染フリーの高純度オゾンガス
| 元素種 | Al | Ni | Cu | Mo |
|---|---|---|---|---|
| POG |
<8.8×109 [atoms/c㎡] 検出限界以下 |
<4.0×109 [atoms/c㎡] 検出限界以下 |
<3.7×109 [atoms/c㎡] 検出限界以下 |
<2.5×109 [atoms/c㎡] 検出限界以下 |
