ピュアオゾンジェネレータ
装置概要
オゾン純度・濃度の極限を追求した革新、高濃度(80%以上)のオゾンガスを安全に連続生成する装置です。オゾンを液化・蓄積し、重金属不純物フリーの高濃度オゾンガスを供給します。主に半導体プロセスの酸化源として利用されています。
(Pure Ozone Generator)
国立研究開発法人
産業技術総合研究所 共同開発
- ピュアオゾンガスを安全に連続して供給可能
- 停電・異常時はフェールセーフシステムによる温度/圧力制御
- 停電時の緊急パージ機構を搭載
- 一部機種では国際安全規格 SEMI-S2、UL、NFPA、CEなどに準拠
- オゾンガス濃度80%以上を保証、安全かつ連続的に生成する、世界初のオゾン発生技術
| オゾン蓄積量 | 16,000cc |
|---|---|
| オゾンガス濃度 | 80%以上 |
| オゾン供給時圧力 | 1,000~9,000Pa |
| オゾンガス制御可能流量 | 20~300sccm |
製品ラインナップ
※1 標準状態ガス換算値
※2 オゾン蓄積量はご相談可能
・お客様にご用意頂くユーティリティ
電源、冷却水、圧縮空気、酸素、窒素、筐体排気
・Option Menu
用途に合わせたOption Menuが御座います。
詳細はお問い合わせください。
導入事例
国内・海外への導入実績は約80台(2024年 時点)
主にALD,MBE等の成膜用酸化源として採用されています。
ALD
ALD装置と接続し酸化源として活用
この装置は、半導体製造、光学、太陽電池等における原子層堆積(ALD)プロセスで酸化源として利用され、均一で高品質な薄膜を形成します
MBE
10sccm~の微量な高濃度オゾンを
長時間安定的に供給可能
オゾンを液化・蓄積し、重金属不純物フリーの高純度オゾンガスを供給します。主に、最先端の半導体デバイス作製研究で酸化源として活用されています
電子ビーム描画装置
主に半導体プロセスや電子ビーム描画装置内のIn-Situ洗浄用途として利用されます