ピュアオゾンジェネレータ

装置概要

オゾン純度・濃度の極限を追求した革新、高濃度(80%以上)のオゾンガスを安全に連続生成する装置です。オゾンを液化・蓄積し、重金属不純物フリーの高濃度オゾンガスを供給します。主に半導体プロセスの酸化源として利用されています。

ピュアオゾン発生装置(POG)
(Pure Ozone Generator)
国立研究開発法人
産業技術総合研究所 共同開発
特長
  • ピュアオゾンガスを安全に連続して供給可能
  • 停電・異常時はフェールセーフシステムによる温度/圧力制御
  • 停電時の緊急パージ機構を搭載
  • 一部機種では国際安全規格 SEMI-S2、UL、NFPA、CEなどに準拠
  • オゾンガス濃度80%以上を保証、安全かつ連続的に生成する、世界初のオゾン発生技術
オゾン蓄積量 16,000cc
オゾンガス濃度 80%以上
オゾン供給時圧力 1,000~9,000Pa
オゾンガス制御可能流量 20~150sccm

製品ラインナップ

タイプ バッチ式準連続式 連続供給式
使用目的 R&D用 準量産用 量産用
オゾン
チャンバ数
1 2 3
最大オゾン
蓄積量
16,000cc 32,000cc 48,000cc
オゾンガス
濃度
80%以上
オゾン流量 10〜300sccm 準連続流量 20〜150sccm 連続流量 10〜150sccm
装置サイズ W900 D900 H1,700mm W1,100 D1,000 H1,800mm W1,400 D1,000 H1,800mm
装置構成
特徴
  • 安価なR&Dタイプ
  • 1回/週のリジェネ動作が必要
  • 「蓄積」と「供給」を繰り返す準連続供給式
  • 1回/週のリジェネ動作が必要
  • 「蓄積」「供給」「再生」を繰り返す連続方式
  • 24時間365日のオゾン連続供給が可能
タイプ バッチ式
使用目的 R&D用
オゾン
チャンバ数
1
最大
オゾン蓄積量
16,000cc
オゾンガス
濃度
80%以上
オゾン流量 10〜300sccm
装置サイズ W900 D900 H1,700mm
装置構成
特徴 安価なR&Dタイプ
1回/週のリジェネ動作が必要
タイプ 準連続式
使用目的 準量産用
オゾン
チャンバ数
2
最大
オゾン蓄積量
32,000cc
オゾンガス
濃度
80%以上
オゾン流量 準連続流量 20〜150sccm
装置サイズ W1,100 D1,000 H1,800mm
装置構成
特徴 「蓄積」と「供給」を繰り返す準連続供給式
1回/週のリジェネ動作が必要
タイプ 連続供給式
使用目的 量産用
オゾン
チャンバ数
3
最大
オゾン蓄積量
48,000cc
オゾンガス
濃度
80%以上
オゾン流量 連続流量 10〜150sccm
装置サイズ W1,400mm D1,000mm H1,800mm
装置構成
特徴 「蓄積」「供給」「再生」を繰り返す連続方式
24時間365日のオゾン連続供給が可能

・お客様にご用意頂くユーティリティ
電源、冷却水、圧縮空気、酸素、窒素、筐体排気

・Option Menu
用途に合わせたOption Menuが御座います。
詳細はお問い合わせください。

導入事例

国内・海外への導入実績は約80台(2024年 時点)
主にALD,MBE等の成膜用酸化源として採用されています。

ALD

ALD装置と接続し酸化源として活用

低温 付き回り性 低ランニングコスト

この装置は、半導体製造、光学、太陽電池等における原子層堆積(ALD)プロセスで酸化源として利用され、均一で高品質な薄膜を形成します

MBE

10sccm~の微量な高濃度オゾンを
長時間安定的に供給可能

低不純物 長時間の安定供給

オゾンを液化・蓄積し、重金属不純物フリーの高純度オゾンガスを供給します。主に、最先端の半導体デバイス作製研究で酸化源として活用されています

電子ビーム描画装置

プラズマフリー 長寿命

主に半導体プロセスや電子ビーム描画装置内のIn-Situ洗浄用途として利用されます