オゾン（O₃）は３つの酸素原子の結合で構成される同素体です。オゾンは通常の酸素（O₂）よりも不安定で、強力な酸化力を持ち合わせています。

オゾンは、一般に空気中での紫外線照射、または酸素中での無声放電など高いエネルギーを持つ電子と酸素分子の衝突によって発生する。こうして発生したオゾンガスの濃度は、10％程度であり、この原理を利用してオゾンを発生させる装置が一般的なオゾナイザーです。

オゾナイザーで発生させたオゾンを減圧下で-183℃（90K）まで冷やして液化させ、貯蔵します。それ以外の不純物を真空排気した後、貯蔵した液体オゾンだけを昇温させることで、80％以上濃度のピュアオゾンガスを生成します。

ピュアオゾンは半導体用プロセスを中心に、酸化源として成膜・改質・洗浄等様々な応用があります。
世界初のオゾン発生技術は、特許技術として国内外で幅広いお客様にお使い頂いています。

半導体分野での採用実績。安全性・信頼性を兼ね備えた高濃度オゾンガス発生装置